机械工程材料

作者：王法栋, 赵洪峰, 谢清云

关键词：锑基SnO₂压敏电阻, In₂O₃掺杂量, 电气性能, 微观结构

以SnO2粉、CoO粉、Cr2O3粉、Sb2O5粉、In2O3粉为原料,在100 MPa压力和1 300 ℃温度下烧结制备(98.85-x)SnO2-1CoO-0.05Cr2O3-0.1Sb2O5-xIn2O3(x=0,0.05,0.10,0.15,物质的量分数/%)锑基SnO2压敏电阻,研究了In2O3掺杂量对压敏电阻微观结构和电气性能的影响。结果表明:随着In2O3掺杂量的增加,锑基SnO2压敏电阻的平均晶粒尺寸减小,密度先增大后减小,非线性系数、施主密度、界面态密度和势垒高度均先增大后减小,泄漏电流密度先减小后增大,电压梯度增大。当掺杂In2O3物质的量分数为0.10%时,压敏电阻的密度达到最大,为6.82 g·cm-3,综合电气性能优良,其电压梯度、非线性系数、泄漏电流密度、施主密度、界面态密度和势垒高度分别为851 V·mm-1,32.36,1.19 μA·cm-2,4.4×1023 m-3,3.2×1016 m-2和1.44 eV。

来源：2023年第6期

《机械工程材料》期刊编辑部

查看机械工程材料杂志2023年第6期