机械工程材料

作者：王力霞

关键词：SiOC陶瓷, 外加电场, 闪速烧结, 低温热解, 聚硅氧烷

以交联后的聚硅氧烷为前驱体，在不同温度（730~780℃）、外加电场强度（20~60 V·mm-1）和限流电流（0.5~2.0 A）下采用闪速烧结技术制备SiOC陶瓷，获得合适的工艺参数，并研究了陶瓷的微观结构、物理性能和热稳定性能。结果表明：成功制备SiOC陶瓷的温度范围为740~780℃，限流电流范围为1.0~2.0 A，外加电场强度范围为30~60 V·mm-1，试验温度比1 400℃传统热解温度低660~620℃，热解时间大大缩短。随着外加电场强度、试验温度或限流电流的增加，陶瓷中SiC含量增加，SiO2含量减少，陶瓷产率和体积密度降低，线变化率和显气孔率增大；与1 400℃传统热解SiOC陶瓷相比，闪速烧结SiOC陶瓷的热稳定性温度提高了约112℃，且随着外加电场强度、试验温度或限流电流的增加，热稳定性提高。

来源：2023年第11期

《机械工程材料》期刊编辑部

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