国内刊号:31-1336/TB
国际刊号:1000-3738
发布日期:
作者:田云龙, 祁海, 郭方全, 曹冲, 韩伟月, 李鹏飞, 钱豪杰
关键词:多孔Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷, 埋粉烧结, 微观结构, 介电性能
利用凝胶注模成型工艺制备α-Si3N4陶瓷素坯,并分别埋在BN、BN+Y2O3+Al2O3(物质的量比1∶1∶1)、BN+Y2O3+Al2O3+Si3N4(物质的量比1∶1∶1∶1)的粉床中,采用气压烧结工艺制备多孔Si3N4陶瓷,研究了埋粉组成对陶瓷物相组成、微观结构、抗弯强度和介电性能的影响。结果表明:利用BN埋粉烧结得到的多孔Si3N4陶瓷由α-Si3N4颗粒组成,孔隙率最高,抗弯强度和介电常数最低;利用BN+Y2O3+Al2O3埋粉烧结得到的陶瓷主要由颗粒状α-Si3N4组成,少量短柱状β-Si3N4相分散在α-Si3N4中,孔隙率较高,抗弯强度和介电常数较低;采用BN+Y2O3+Al2O3+Si3N4埋粉烧结得到的陶瓷由长柱状β-Si3N4相组成,β-Si3N4晶粒交叉互锁形成孔洞,孔隙率最低,抗弯强度和介电常数最高。利用不同组成埋粉烧结得到陶瓷的介电损耗均在10?3数量级,陶瓷的透波性能优异。利用BN+Y2O3+Al2O3+Si3N4埋粉烧结得到的多孔Si3N4陶瓷的性能最优,其孔隙率为53.7%,抗弯强度为128.2 MPa,介电常数为2.96,介电损耗为1.62×10?3。
来源:2025年第5期
《机械工程材料》期刊编辑部