国内刊号:31-1336/TB
国际刊号:1000-3738
发布日期:
作者:敬谦, 柴鹏, 耿宝龙, 曹国立
关键词:微纳加工;脆塑转变, 材料去除, 力学行为, 分子动力学, 单晶SiC
单晶SiC是第三代半导体的核心材料,广泛应用于微/纳机电系统、传感器和柔性电子器件的组件制备。单晶SiC的微纳力学性能与宏观尺度下不同,表现出显著的尺寸效应,而且其硬度高、脆性强,导致微纳加工效率低、成本高、质量差。研究单晶SiC的微纳力学性能与材料去除机制是实现高效、高精度微纳加工,进而提高器件功能性和可靠性的关键。总结了微纳力学性能测试方法,归纳了微纳加工材料去除机制类型,综述了试验与模拟研究微纳加工材料去除机制的研究进展,提出了单晶SiC微纳加工领域存在的问题,并对未来发展方向进行展望。
来源:2025年第7期
《机械工程材料》期刊编辑部