国内刊号:31-1336/TB
国际刊号:1000-3738
发布日期:
作者:夏丽, 张勇, 王慧鹏, 崔接武, 王岩, 吴玉程
关键词:碳化硅晶须, 复合材料, 磁导率, 吸波性能
以葡萄糖为碳源,依次通过水热法和高温烧结制备核壳结构SiC@C晶须,将其和钴基沸石咪唑酯骨架材料(Co-ZIF)进行溶液共混、高温烧结制备吸波填料。将吸波填料与聚偏二氟乙烯混合热压,制备得到不同填料质量分数(5%,10%,15%,20%,25%,30%)的复合材料,研究了该复合材料的吸波性能。结果表明:吸波填料中SiC晶须表面碳壳连续性较差,碳壳表面附着纳米级Co2Si颗粒。随着填料含量增加,复合材料介电常数增大,磁导率实部和虚部均处于较低水平,介电损耗正切增大且均大于磁损耗正切,介电损耗在电磁波吸收中起主导作用。当填料质量分数为10%时,2.41 mm厚复合材料最低反射损耗达到?53.19 dB,有效吸收带宽达到7.64 GHz(10.28~17.92 GHz),吸波性能优异,阻抗匹配优异;2.36 mm厚复合材料有效吸收带宽完全覆盖Ku波段(12~18 GHz),覆盖部分X波段(8~12 GHz),在多波段范围内具备良好的宽频吸波适配性。
来源:2026年第1期
《机械工程材料》期刊编辑部